报告题目：三维集成电路设计介绍与实例

报告专家：吕超 助理教授 美国南伊利诺伊大学

报告时间：2017年6月7日上午10：00

报告地点：本部电信楼三楼CAD实验室

报告摘要：随着晶体管沟道长度达到20-30纳米的范围，摩尔定律的效应正在减慢。CMOS技术正在遇到诸如工艺随机变动，漏电流增加，光刻限制和产量可靠性的问题。全球投入了大量的研究工作来克服这些问题，并使得摩尔定律可以继续下去。晶体管沟道缩小所带来的好处即将结束，进一步整合产品尺寸和能源效率的愿望并没有结束，消费者仍然希望以更低的成本和更高的功率效率获得更多的功能。研究人员近年已经提出了使用硅通孔互连的多个硅片堆叠的三维集成电路技术，并且其中一些应用在一些产品中。在这次演讲中，根据我在美国的工作经验，将概述三维集成电路的发展，讨论它的优点，挑战，制作过程，电气特性，并介绍现有的几个工业界的设计实例。

报告人简介：吕超，2004年本科毕业于南开大学微电子专业，2007年硕士毕业于香港科技大学，2012年毕业于美国普渡大学并获得电子与计算机专业博士学位,师从于国际集成电路学界领军人物Kaushik Roy教授（IEEE院士,讲席教授）。在美国波士顿和芝加哥的高科技创业公司就职3年后，2015年起任职于美国南伊利诺伊大学助理教授，领导大规模集成电路系统设计实验室。该实验室成立于2015年,得到美国国家级嵌入式系统研究中心的大力支持。现有博士学生三名,配备了高性能服务器,Altera FPGA, Cadence、Synopsys等全套仿真软件,可以满足数字、模拟、数模混合等IC设计流程。

主要学术业绩：凭借出色的学术研究成果和丰富的业界产品开发经历，吕超博士是国际大规模集成电路设计领域的知名青年学者。他的主要研究方向为新一代纳米级大规模集成电路研究，集成电路新型器件-系统联合设计优化，新一代H.265视频压缩芯片的开发和优化。作为主要贡献者参与了美国国家自然科学基金项目1项，英特尔公司和高通公司的研发项目，主持了美国南伊利诺伊大学科研项目2项，共计研究经费82万美元。近五年发表学术论文18篇，其中以第一作者或通讯作者发表论文9篇；单篇论文最高被引用次数56次。谷歌学术搜索显示引用次数424，个人H指数达10。拥有2项正式美国专利,和中国/美国专利申请各1项。集成电路设计是一个应用非常强的领域，其最好的期刊的影响因子只有3和2.528.吕超博士的文章发表在集成电路领域的顶级期刊，IEEE Transactions on VLSI Systems (影响因子1.356),IEEE Transactions on Electron Device (影响因子2.472),IEEE Journal of Display Technology (影响因子2.241),IEEE Journal on Emerging and Selected Topics in Circuits and Systems (影响因子1.524)等等。吕超博士的研究成果在美国，德国，法国等多个重要会议上被报告，获得2007年电气和电子工程师协会国际低功耗电子设计研讨会最佳论文奖，2014年国际工程师和计算机科学家研讨会的最佳论文奖，2016年电气和电子工程师协会片上系统芯片研讨会最佳论文奖提名。